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高性能分段线性补偿CMOS带隙基准电压源设计

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成果类型:
期刊论文
作者:
邓庭;曾以成;夏俊雅;崔晶晶
作者机构:
[邓庭; 曾以成; 夏俊雅; 崔晶晶] 湘潭大学微电子科学与工程系
语种:
中文
关键词:
带隙基准;曲率补偿;温度系数;电源抑制比;高低温补偿
关键词(英文):
CMOS
期刊:
电子元件与材料
期刊(英文):
Electronic Components & Materials
ISSN:
1001-2028
年:
2018
卷:
37
期:
03
页码:
73-77
机构署名:
本校为第一机构
院系归属:
物理与光电工程学院
摘要:
设计了一种具有分段线性补偿的CMOS带隙基准电压源。该电路基于传统带隙基准源,利用MOS晶体管代替双极型晶体管产生正温度系数电流和负温度系数电流,将这两种具有相反温度系数的电流以适当的权重相加到负载电阻,并加入分段补偿电路,在低温阶段,加入一段负温度系数的电流,在高温阶段,抽取部分总电流,从而得到高精度的基准输出电压。在0.5 μm CMOS工艺下,使用Cadence Spectre对电路进行仿真,仿真结果表明,在供电电压为5 V时,基准输出电压为1.255 V,在-40~125 ℃范围内,带隙基准源的温漂系数为1.029×10~(-6)/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)低于-75 dB。

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